Samsung masowo produkuje najmniejszą w branży pamięć DDR5 DRAM, ogłosiła we wtorek firma.
Nowa pamięć 14 nm EUV DDR5 DRAM ma tylko 14 nanometrów i jest wyposażona w pięć warstw technologii ekstremalnego ultrafioletu (EUV). Może osiągnąć prędkość do 7,2 gigabitów na sekundę, czyli ponad dwukrotnie więcej niż DDR4. Samsung twierdzi również, że jego nowa technologia EUV zapewnia pamięci DDR5 DRAM najwyższą gęstość bitów, jednocześnie zwiększając produktywność o 20% i zmniejszając zużycie energii o 20%.
EUV staje się coraz ważniejszy, ponieważ DRAM ciągle się kurczy. Pomaga poprawić dokładność odwzorowania, która jest potrzebna do uzyskania wyższej wydajności i większych zysków, powiedział Samsung. Ekstremalna miniaturyzacja 14 nm DDR5 DRAM nie była możliwa przed zastosowaniem konwencjonalnej metody produkcji fluorku argonu (ArF), a firma ma nadzieję, że jej nowa technologia pomoże zaspokoić potrzebę większej wydajności i pojemności w dziedzinach takich jak 5G i sztuczna inteligencja.
Idąc dalej, Samsung powiedział, że chce stworzyć chip DRAM 24 Gb 14 nm, aby sprostać wymaganiom globalnych systemów IT. Planuje również rozszerzyć swoją ofertę 14 nm DDR5 o obsługę centrów danych, superkomputerów i aplikacji serwerowych dla przedsiębiorstw.
